报告题目：锑化物半导体激光器研究进展
报告人：张宇 中国科学院半导体研究所
报告时间：2023.10.20 10：00-11：30
报告地点：实验北楼118
报告摘要：
锑化物半导体材料是窄带隙材料，也是1.9-3微米波段，唯一可达到室温连续瓦级激光器的半导体材料。中国科学院半导体研究所技术团队长期从事锑化物半导体激光器的研究工作，研制的大功率、单模激光器性能均达到国内领先水平。锑化物半导体激光器可广泛应用于量子通信、光电对抗等国家战略领域，也可应用于激光加工、医疗美容、气体检测等民用领域。
报告人简介：
张宇，男，博士，中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室副研究员，15年来一直从事锑化物半导体锑化物光电芯片、模块及系统的设计、研制和产业化。基于锑化物材料研制的大功率激光器单管和巴条达到国内领先水平；基于锑化物材料研制的单模激光器达到国内领先水平；激射波长覆盖1.9-4微米。承担国家、省部级等多项科研项目；2020年“锑化物量子阱红外激光器”项目科学技术成果鉴定会，鉴定委员会评价“光电效率国际领先，关键技术突破封锁”。